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应用材料公司推出新型低K电介质技术

放大字体  缩小字体发布日期:2007-06-15  浏览次数:409

近日,低K电介质技术的领导者应用材料公司宣布推出Applied Producer? BLOk II PECVD系统。这个全新的系统能够提供先进的阻挡层低K电介质技术,用于亚45纳米技术节点制造速度更快、功耗更小的逻辑芯片。通过超低K介电质(如应用材料的Black Diamond?薄膜)的应用,BLOkII阻挡薄膜最高可降低互连电介质叠合层的有效K值10%,从而加速了信号传输速度。Producer系统的单硅片处理结构使得至关重要的预清洗可以在同一系统中进行,其结果使电迁移抵御能力高于相匹敌阻挡层技术30%,从而确保了可靠的粘合度并提高了器件可靠性。

应用材料公司资深副总裁兼薄膜事业部总经理Farhad Moghadam博士表示:“在持续推动互连技术延伸的材料创新方面,应用材料公司站在了最前沿。最佳互连性能的关键是薄膜的整合,也就是控制铜和低K电介质界面的能力,从而确保最终可靠性和封装后的成品率。我们独特的Producer BLOk系统提供了创新的界面工程工艺(具有专利的在同一系统中进行铜氧化物去除步骤)实现了良好的薄膜粘合度和很高的电性可靠度。目前市场上没有任何其他的系统可以媲美如此杰出的界面性能。”

BLOk II系统和Black Diamond薄膜的整合性能已经在应用材料公司的Maydan技术中心得到了验证,Applied Centura? Enabler?刻蚀系统对这些叠合层成功进行了刻蚀,而且优化了选择性和刻蚀率,控制了不良侧蚀。这一先进经验将使客户更快更好的将BLOkII技术整合到他们新一代低K薄膜叠合层中。

应用材料公司的BLOk II薄膜能够提供无与伦比的超薄阻挡层和非常低的介电值,目前正被全球多个客户用于32纳米的开发。应用材料公司有超过250台BLOk反应腔用于生产,通过已被验证的制造工艺,它们可以平稳升级到BLOk II技术水平。

最新行业新闻2007年06月15日更新

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