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二维正弦调制靶的图形转移研究.pdf

放大字体  缩小字体发布日期:2012-04-05  浏览次数:1046

关 键 词:二维正弦调制靶,平面调制靶,电镀,图形转移工艺,惯性约束聚变

作    者:孙骐 周斌 等

概    述:

    根据惯性约束聚变分解实验的要求,通过激光干涉法在光刻胶表面制备正弦起伏图形,结合电镀图形转移工艺,获得了波长20-100μm、振幅0.2-3.5μm的一系列Ni基图形转移模板,并进一步将正弦起伏图形转移到聚苯乙烯薄膜表面,制备出聚苯乙烯二维调制箔靶。研究了图形的精确转移工艺,特别是深振幅样品的脱模工艺,对工艺参数的优化进行了讨论。采用台阶仪和原子力显微镜监控图形转移过程,比较了光刻胶表面图形和一次、二次电镀转移图形以及转移到聚苯乙烯薄膜上图形的形貌,测定了图形转移过程中的深度变化。



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