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高纯纳米级ITO复合粉末(铟、锡氧化物复合粉末)

放大字体  缩小字体发布日期:2012-08-10  浏览次数:650
核心提示: ITO透明导电氧化物(掺锡氧化铟Tin-doped IndiumOxide简称ITO)薄膜材料,具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低等共同光电特性。

登记号 粤科成登字20020020

登记日期 2002-01-15

成果名称 高纯纳米级ITO复合粉末(铟、锡氧化物复合粉末)

成果状态 已批准项目

完成单位 韶关市凯迪技术开发有限公司

研究人员

研究时间 2000.06 至2001.05

鉴定单位 广东省经济贸易委员会

鉴定日期 2001.05.11

成果应用行业

高新科技领域

学科分类 、

简介 ITO透明导电氧化物(掺锡氧化铟Tin-doped IndiumOxide简称ITO)薄膜材料,具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低等共同光电特性。ITO材料研究与应用较为广泛、成熟,其中 ,大尺寸、高性能电子溅射靶(ITO靶材)是电子及信息产业不可缺少的材料,它广泛用于电子线 路基板的镀层;硬盘等耐磨镀层;光、电、磁的功能膜层等,如计算机光盘、家庭映碟、笔计本电脑的显示屏、太阳能电池和其它节能产品等。仅可擦写计算机光盘(必将取代软盘)、DVD影碟 两项预计到2000年底就可达20亿张。因此,电子靶材一直是各国优先发展的高新技术材料。我国 攻关计划、863计划、火炬计划、自然科学基金、创新基金等都将其列为重点发展材料,国家发展 计划委员会和国家科技部将其作为电子专用材料列入《当前优先发展的高新技术产业化重点领域指南》,是国家近期产业化的重点,以提升我国的电子信息产业的水平。"多级受控制粉法制备ITO 复合粉"技术是基于反相胶团微乳液技术及胶体化学法的基本原理,自主开发并拥有自主知识产权 (国家专利局已受理"ITO复合粉未制备技术"的发明专利)其相关技术可开发多种金属超细粉未乃 至纳米级材料的产品。

本技术采用多级受控共沉淀法制备ITO复合粉末具有以下几个特点:a. 可以精确控制化学组成;b. 容易添加微量有效成份,制成多种成分的均匀微粉体;c.超细颗粒的 表面活性好;d. 容易控制颗粒的形状和粒径;e. 工业化生产成本核算较低。主要技术经济指标 :多级受控共沉淀法制备的ITO复合粉末,平均粒径小于30nm,纯度大于99.99%,In2O3:SnO2(重 量比)=90:10,颗粒开貌为球形,且颗粒纯度均匀、流动性好。用此ITO复合粉末制成的透明导 电薄膜,相对密度高达95-98%,光透过率达88-90%,方块电阻小于100,完全满足HTFT显示器件 的应用。产品先后送新加坡UNAXIS公司和北京安泰科技股份公司做压靶试验取得成功。产品和工 艺于2001年5月经过省级鉴定"产品质量达到国际同类产品的先进水平,制备技术居国内先进地位 "并申请了发明专利。

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