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日立化成工业确立了金使用量较少的铜引线键合电镀技术

放大字体  缩小字体发布日期:2012-11-09  浏览次数:585
核心提示:日立化成工业面向半导体芯片与封装基板连接的铜(Cu)引线键合方式,确立了使用少量金(Au)即可完成的无电解电镀技术。
 

日立化成工业面向半导体芯片与封装基板连接的铜(Cu)引线键合方式,确立了使用少量金(Au)即可完成的无电解电镀技术。今后,将提供采用该技术的封装基板和电镀药品。

此前,引线键合材料采用电阻较低而且加工性和连接可靠性出色的Au。不过,近年来Au价格暴涨,因此业界开始采用低价的Cu代替Au。

Cu引线键合一般采用对镍(Ni)层和Au层进行电解电镀的现有方式(电解电镀Ni/Au)。该方式也应用于Au引线键合中。不过,电解电镀Ni/Au在基板的高密度化和低成本化方面还有问题。

因此,日立化成工业采用的是非电解电镀Ni/钯(Pd)/Au。在Ni层和Au层之间设置Pd层后,在降低Ni扩散的基础上,可增大Au结晶,因此即使Au用量较少也能充分确保连接可靠性。该公司1995年开发出非电解电镀Ni/Pd/Au的技术,并推进了Au引线键合相关的研究,此次将该技术用于Cu引线键合中,验证了可靠性。

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