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普通晶闸管

放大字体  缩小字体发布日期:2012-12-14  浏览次数:990
核心提示:普通晶闸管曾称可控硅,是由半导体材料经硅加工形成的具有四层PNPN结构、三端引出线的半导体器件,其表示符号如图9-3所示,外形一般有螺栓形和平板形两种形式。

普通晶闸管曾称可控硅,是由半导体材料经硅加工形成的具有四层PNPN结构、三端引出线的半导体器件,其表示符号如图9-3所示,外形一般有螺栓形和平板形两种形式。

 

晶闸管符号

 

图9—3晶闸管符号A一阳极;K一阴极G一控制极

普通晶闸管的型号用KP表示。型号的标注为KP一500A/1200V,表示为普通晶闸管,其通态平均电流为500A,能够承受的正向或反向电压为1200V。

(1)晶闸管的伏安特性

阳极、阴极间电压和电流的关系曲线称为晶闸管的伏安特性,这是晶闸管的基本特性。

阳极伏安特性指晶闸管阳极、阴极间的电压YAK与阳极电流h之间的函数关系,如图9—4所示。

①正向特性当门极开路(IG=0)时,晶闸管阳极、阴极间加上正向电压,此时晶闸管只通过很小的正向电流h,晶闸管阳极、阴极间呈现很大的电阻,处于正向阻断状态。当正向电压达到转折电压VBO时,阳极电流h突然急剧增大,晶闸管进入导通状态。导通后的正向特性与二极管的正向特性相似。

晶闸管的伏安特性

 

图9—4晶闸管的伏安特性

如果在晶闸管门极上加触发电流IG,就会使晶闸管在较低的阳极电压下触发导通,门极电流工G越大,相应的转折电压越低,如图9—4中IG1、IG2相应的曲线。当门极电流足够大时,只要有很小的阳极正向电压,就能使晶闸管由阻断变为导通。

②反向特性 当晶闸管外加反向阳极电压时,晶闸管始终处于反向阻断状态,当反向阳极电压增加到一定数值时,反向漏电流增加较快。再继续增加到转折电压VRSM时,将导致晶闸管反向击穿而损坏。

(2)晶闸管的门极伏安特性

门极伏安特性是指门极电压YAK与电流IG的关系。由于门极G与阴极K之间只有一个PN结,所以电压与电流的关系呈现出二极管伏安特性关系。

(3)晶闸管的主要参数

①额定电压UN 晶闸管在门极开路时,能承受的最大正向和反向电压中较小的一个数值。在实际应用中,应选用晶闸管的额定电压为其正常工作电压的2~3倍。

②通态平均电流IT在环境温度+40℃和规定的冷却条件下,晶闸管所允许通过的工频正弦半波电流的平均值。在实际应用中,一般选用晶闸管的IT为正常工作电流的l.5~2.0倍。

③门极触发电压U。 产生门极触发电流所必需的最小门极电压,一般为1~5V。

④门极触发电流I。 使晶闸管由断态转入通态所必需的最小门极电流,一般为几十到几百毫安。

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