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铜一钨复合镀层电沉积工艺及其性能:结果与讨论(一)

放大字体  缩小字体发布日期:2012-05-14  浏览次数:617

1.工艺参数对镀层中钨质量分数的影响

 

1.1 镀液中钨质量浓度的影响

 

   图l是在温度为30℃、搅拌速率500 r/min和电流密度3 A/dm2的条件下,当镀液中含不同质量浓度的钨颗粒时,镀层中钨共沉积量的测定结果。由图1可知,钨共沉积量随钨颗粒在镀液中质量浓度的增大而增加,在35g/L左右时达到最大值,然后又缓慢减少。

 

图1镀液中钨质量浓度与镀层中钨质量分数的关系

Figure l Relationship between the mass concentration of

tungsten particles in bath and the mass fraction of tungsten in

deposit

 

1.2 阴极电流密度的影响

 

   图2是在温度为30℃、搅拌速率500 r/min、镀液中钨质量浓度为30g/L的条件下,当阴极电流密度变化时,镀层中钨共沉积量的试验结果。由图2可知,钨共沉积量随阴极电流密度的增大而增加,当电流密度达到3.5 A/dm2时,钨共沉积量达到最大值。

 

图2阴极电流密度与镀层中钨质量分数的关系

Figure 2 Relationship between cathodic current density and

mass fraction of tungsten in deposit

 

1.3 搅拌速率的影响

 

   图3是在温度为30℃、电流密度3 A/dm2、镀液中钨质量浓度为30 g/L的条件下,镀层中钨的共沉积量随搅拌速率的变化规律。由图3可知,钨共沉积量随着搅拌速率的增大而慢慢增加,沉积量增至最大值后急剧降低。

 

图3搅拌镀铝与镀层中钨质量分数的关系

Figure 3 Relationship between stirring rate and mass fraction

of tungsten in deposit

 

1.4 温度的影响

   图4是电流密度为3 A/dm2、搅拌速率500 r/min、镀液中钨质量浓度为30 g/L的条件下,镀层中钨的共沉积量随镀液温度的变化。由图4可知,随着温度升高,钨的共沉积量增大,温度为40℃时钨沉积量达到最大;温度继续升高,镀层中钨的共沉积量迅速下降。

 

图4镀液温度与镀层中钨质量分数的关系

Figure 4 Relationship between bath temperature and mass

fraction of tungsten in deposit

 

   综合以上分析,确定最佳工艺参数为:镀液中钨颗粒的质量浓度35 g/L,阴极电流密度4 A/dm2,搅拌速率600 r/min,温度50℃。

 

铜一钨复合镀层电沉积工艺及其性能:前言

铜一钨复合镀层电沉积工艺及其性能:实验

铜一钨复合镀层电沉积工艺及其性能:结果与讨论(二)

铜一钨复合镀层电沉积工艺及其性能:结论

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