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铜一钨复合镀层电沉积工艺及其性能:结论

放大字体  缩小字体发布日期:2012-05-14  浏览次数:665

结论

 

   (1)在形成铜一钨复合镀层的过程中,镀液中钨颗粒的质量浓度与阴极电流密度对复合镀层中钨含量的影响显著,搅拌强度与镀液温度的影响其次。

 

   (2)铜一钨复合镀层具有适度的显微硬度,其范围在98.5~112.0 HV之间。

 

   (3)在直流电压12 V、电流10 A、接触1万次的条件下,铜一钨复合镀层与AgCdo银基触头都具有较低、较稳定的接触电阻(在10~30 mΩ之间波动)。

 

参考文献:

 

[1] 《表面处理工艺手册》编审委员会.表面处理工艺手册[M].上海:上海科技出版社,1991:146.

[2] 刘小兵,王徐承,陈煜,等.复合电沉积的最新研究动态[J].电化学,2003,9(2):117-125.

[3] 郭忠诚,朱晓云,杨显万.电沉积多功能复合材料的研究现状与展望硼.云南冶金,2002,3 1(2):128.137,164.

[4] 张万胜.电触头材料国外基本情况田.电工合金,1995(1):1-20.

[5] 陈文革,谷臣清.电触头材料的制造、应用与研究进展[J].上海电器技术,l997(2):12-17.

[6] 堵永国,张为军,胡君遂.电接触与电接触材料(六)[J].电工材料,2006(3):49-54.

 

[编辑:温靖邦]

 

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