直流二极溅射是利用气体辉光放电来产生轰击靶的正离子，镀膜材料(靶)为阴极，工件与工件架为阳极，正负极间施加直流高压1～7kV。图9-8为直流二极溅射装置示意图，其特点是结构简单，在大面积的工件表面上可以制取均匀的薄膜。但其电流密度小(0.15～1.5mA/cm2)，溅射速率低，沉积速率慢，放电电流随血气压力和电压变化而变化，且工件温升较高，只适用于金属和半导体材料，而不能用于绝缘材料的溅射。  图9．8直流二极溅射装置A一溅射电源B—基板加热电源 |
发布日期：2012-08-15 浏览次数：2656
直流二极溅射是利用气体辉光放电来产生轰击靶的正离子，镀膜材料(靶)为阴极，工件与工件架为阳极，正负极间施加直流高压1～7kV。图9-8为直流二极溅射装置示意图，其特点是结构简单，在大面积的工件表面上可以制取均匀的薄膜。但其电流密度小(0.15～1.5mA/cm2)，溅射速率低，沉积速率慢，放电电流随血气压力和电压变化而变化，且工件温升较高，只适用于金属和半导体材料，而不能用于绝缘材料的溅射。 图9．8直流二极溅射装置A一溅射电源B—基板加热电源 |
