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行业专用的表面处理化学品:电器、电子元件加工专用表面处理化学品-电器仪表及电子元件用镀液配方

放大字体  缩小字体发布日期:2012-04-26  浏览次数:1012

电仪器表及电子元件用镀液

 

配方l化学镀锡铅合金

氯化亚锡

l6—20g/L

氯化铅

8—9g/L

氯化铵

55—60g/L

乙酸铵

5—10g/L

硫氰酸钾

45—55g/L

稳定剂(浙江黄岩荧光化学厂生产)

60—80g/L

工艺条件:pH值2,温度55—65℃。

   先将氯化亚锡溶解,再加入其他组分,搅拌混合溶解后便可使用。

本锡铅合金镀层主要用于电子元器件的焊角及印制板作钎焊性镀层。 

 

配方2化学镀可焊性锡铅合金

甲基磺酸

50.0g/L 

甲基磺酸亚锡(以Sn2+计)

20.0g/L

甲基磺酸铅(以Pb2+计)

1.5g/L

次磷酸钠

80.0g/L

促进剂(降低铜基底的稳定电位,使锡铅合金能够沉积)

75.0g/L

络合剂1(防止锡盐水解,增加镀液稳定性)

3.0g/L

络合剂2

15.0g/L

复合添加剂(使镀层平整致密,抑制针孔)

5.0g/L

工艺条件:pH值1,温度70℃,时间10min.

   工艺流程为:试样化学除油(50mL/L BH—7碱性除油液,30g/L Na2C03,室温)→水洗→弱腐蚀(5%H2S04,时间20—30s)→水洗→去离子→水洗→化学镀→水洗→钝化(8一l0g/L K2Cr207,l8—209/L Na2C03,室温下钝化2—10min)→水洗→干燥。

   鞍山钢铁学院研制的本化学镀镀液稳定,沉积速率可达4.2μm/10min,镀层为银白色无光合金镀层,可焊性优良,用于电子元器件。

 

配方3铝硅合金超声波浸锌化学镀镍

   ①浸锌溶液(二次浸锌液)

氧化锌

100g/L

氢氧化钠

500g/L

硫化物

3g/L

工艺条件:温度室温,超声时间20~30s。

   ②化学镀镍溶液

硫酸镍

30.00g/L

醋酸钠

15.00g/L

次亚磷酸钠

36.00g/L

柠檬酸钠

l0.00g/L

氟化钠

0.40g/L

十二烷基硫酸钠

0.01g/L

稳定剂

2.5×10-6g/L

工艺条件:pH值4.5~5.0,温度(80±5)℃,时间一次镀0.5h,二次镀lh,装载量l.5dm2/L,镀层厚度12~15μm。

   高硅铝合金作为电子器件的外壳材料,其表面必须镀耐蚀性强、可焊性好、真空性能佳的化学镀镍层。而化学镀镍前在超声波场中进行浸锌处理,不仅缩短浸锌时间,而且锌层均匀性及结合力都得到改善,从而提高化学镀镍的合格率。硫化物的加入可在铝表面产生微量的硫化锌晶粒,在化学镀-镍时起催化作用;而硫化锌晶粒在酸性化学镀镍液中被逐渐溶解掉,不会夹杂在镀层中。化学镀镍时采用二次化学镀镍法,可提高镀恳耍量。施镀前工件要预热至反应温度。

 

配方4新型电子陶瓷化学镀镍

镍离子(以Ni2+计)

4.8~5.2g/L

次亚磷酸钠

28.5~32.5g/L

乳酸

4.0mL/L

硼酸

30.0g/L

氯化钠

30.0g/L

工艺条件:pH值4.8—5.5,温度(80±5)℃,时间70—80min。   

电子陶瓷化学镀镍具有镀层较厚、细密、光滑等特点,可改善电子陶瓷与电子元件的焊接性,满足微电子对陶瓷封装的要求,且能降低电子元器件的原料成本。例如陶瓷散热片与大功率管焊接时,散热片的银层与焊锡产生共熔而遭破坏。改进后在银层上化学镀镍作阻挡层,解决了银层与焊锡共熔难题,再在化学镀镍层上镀一层易焊层,取得满意结果。又例如瓷介电容器以化学镀镍代替化学镀银,再在镍层上化学镀铜,不但金属化的瓷介电容器性能良好,而且节省大量白银,降低了元件生产成本。

   电子陶瓷化学镀镍需经以下流程:除油→中和→粗化→敏化→活化→还原→化学镀镍。

 

配方5硅片电镀铅锡合金

四氟硼酸铅

100—200g/L

四氟硼酸亚锡

l5—30g/L

四氟硼酸

l00—200g/L

添加剂SN(使镀液匀镀,镀层结晶细致)

3—5g/L

工艺条件:电流密度2.5—5.0A/dm2,温度17—35℃,时间30—50min,阴极面积与阳极面积比为1:2。

   工艺流程为:硅片→预处理(在5%KOH溶液中煮沸3min,水洗至pH。值为8—9)→化学镀镍[NiCl2·6H2030g/L,NH4C150g/L,NaH2P02· H2010g/L,(NH4)HC6H50,65g/L,pH值为8—9,温度90—98℃,时间10—15min)]+活化(HBF45%~20%,窒温,时间3—5min)。

   硅片经电镀铅锡合金,使硅片导电,便于使用线切割方法进行切割,硅片利用率提高了9.5%,一次成品率高,从而降低了生产成本。由杭州武林机器厂研究开发。

 

配方6半导体硅片镀镍液

六水氯化镍

16.5g/L

水次亚磷酸钠

l2.0g/L

氯化铵

13.0g/L

增效剂A(上海化工研究院)

1.4g/L

柠檬酸

13.0g/L

稳定剂

适量

加至1.0L

工艺条件:pH值为8—9,温度为82—90℃,一次镀的起镀时间为70s,二次镀的起镀时间为2.5min。

本镀液具有活性好、镍沉积速度快、与硅片结合力好、对活化处理要求低、对镀镍工艺要求不高等特点,从而杜绝施镀过程中因反应速率控制不当出现黑镍和转动镀片时由于片架和缸底的摩擦在缸底出现亮镍沉积的现象。本镀液适用于装载密度大的半导体二极管制作工艺中的化学镀镍。

 

配方7用于计算机信息储存的ll45铝化学镀镍铁磷

硫酸镍

30.00g/L

次磷酸钠

30.00g/L

硫酸亚铁铵

15.00g/L

主络合剂(羟基羧酸盐,燕山大学化学工程系)

45.00g/L

酒石酸钾钠(辅助络合剂)

6.00g/L

加速剂(短链多元脂肪酸)

0.08moL/L

稳定剂(硫脲衍生物)

4.00g/L

工艺条件:温度90℃,pH值为ll,装载比l—1.5dm2/L。

本工艺以冷轧板1145铝为基体,化学镀镍铁磷合金,具有镀液稳定、镀县性能良好、镀速高(由6μm/h提高至20μm/h)、成本低廉等特点。三元镍陕磷合金表现出优异的软磁特性,这些合金制作的高速开关广泛应用于计算机中的信息存储。

 

配方8用于磁盘生产的化学镀镍铜磷液

六水硫酸镍

25g/L

次亚磷酸钠(还原剂)

25g/L

柠檬酸钠(络合剂)

60g/L

醋酸钠

20g/L

硫酸铜

3g/L

工艺条件:pH值l0,温度90℃,时间lh。

   化学镀镍铜磷合金镀层首先具有良好的耐磨性和耐蚀性,且经过热处哩可获得较高硬度;其次合金电导率高,有良好的导电性;此外镍铜磷镀层有极低的残磁性能。因此,化学镀镍铜磷广泛用于金属材料表面防护,磁盘生产,以及用作电磁屏蔽层等。

 

配方9玻璃基体上电沉积磁性镍钴镀层   

①化学镀镍

六水氯化镍

25~30g/L

一水磷酸二氢钠

l0~15g/L

柠檬酸钠

l2~15g/L

醋酸(HAc)

10—15g/L

工艺条件:pH值3—4,温度70—75℃。

   ②电镀镍钴

六水硫酸镍

180~200g/L

硫酸钴

80~100g/L

硼酸

30~35g/L

醋酸钠

25~30g/L

氯化钠

l0~15g/L

硫酸钠

10~15g/L

工艺条件:pH值3.5-4.5,温度45—50℃,电流密度2—3A/dm2。

   工艺流程:试样打磨→除油(40%NaOH)→水洗→粗化(HF:H2SiF6:H20=1:1:3)→水洗→敏化(10g/L SnCl2+25mL/L HCl)→水洗→活化(0.5g/L PdCl2+2.5mL/L HCI)→水洗→化学镀镍→电镀镍钴→水洗→热风吹干。

   在玻璃基体上电沉积的镍钴合金镀层均匀、致密、结合力好。镀层的钴质量分数达85%。该镀层在0.5mol/L的H2S04和5%NaCI(醋酸调节pH=3)溶液中的耐腐蚀性与1Crl8Ni9Ti不锈钢相当,具有较好的耐腐蚀性能。该镀层具有良好的磁性能,可用于光学磁盘如CD、CD—ROM等。

 

配方l0磁记录用化学镀钴液

硫酸钴

0.1mol/L

次磷酸钠

0.2mol/L

焦磷酸钠

0.4mol/L

硫酸铵

0.5mol/L

加至1.OL

工艺条件:pn值10.5,温度70℃。

本镀液稳定性好、沉积速度高、镀层细致。配制时以水为溶剂。 

 

配方ll 高分散全光亮酸性镀锡

硫酸亚锡

20—60g/L

硫酸

l20—180g/L

添加剂FSn—A(具有细化结晶和光亮作用)

8—18mL/L

添加剂Fsn—B(具有走位和增光作用)

5~IOmL/L

工艺条件:温度5~25℃,电流密度l~5A/dm2,电镀时间10~20min,阳极纯锡板,阴极需要移动,15~25次/min。

酸性光亮镀锡具有电流效率高、无须加热、添加剂分散能力强等特点,应用于通讯和网络电子产品。由武汉风帆电镀技术有限公司研究开发。 

 

配方12烷基胺硼烷化学镀镍两则

 

醋酸镍

50.Og/L

氯化镍

30.Og/L

二乙基胺硼烷

3.Og/L

柠檬酸钠

25.Og/L

l5.0g/L

异丙醇

50.Og/L

乙醇酸(65%)

40.0g/L

醋酸钠 

5.Og/L

pH值

6.0~7.0

8.0~8.5

温度

40℃

30℃

本镀液施镀工艺条件宽,烷基胺硼烷还原能力较强,镀液稳定性好,使用寿命长,镀层导电性好,特别适用于电子工业领域的化学镀。如作为电容器、接触连接件、高能微波器件、导线框架的可焊镀层;陶瓷基层金属化混合电路中的代金镀层;高温钎焊的焊料等。缺点是还原剂价格较高。

 

配方l3化学镀锡和锡铅合金三则

 

 

 

 

甲基磺酸锡(以Sn2+计)

34g/L

乙酰硫脲

lO0g/L

次亚磷酸钠

5g/L

乙基磺酸铅(以Pb2+计)

8g/L

乙基磺酸

150g/L

硫脲

80g/L

偏磷酸(枝状结晶生长抑制剂)

85g/L

壬基酚聚氧乙烯醚(湿润剂)

5g/L

己基磺酸锡(以Sn2+计)

30g/L

对苯酚磺酸铅(以Pb2+计)

20g/L

甲基磺酸

55g/L

三甲基硫脲

160g/L

磷酸三甲酯

8g/L

本镀液含有锡盐、铅盐、络合剂、酸和枝状结晶生长抑制剂等,可以获得均匀致密、平滑、附着性良好的锡和锡铅合金镀层,能有效抑制枝状结晶生长。锡和锡铅合金镀层适用于TAB、阻容元件和印刷板等电子部件的表面 精饰处理,有助于确保高密度表面安装的高可靠性。

 

配方l4化学镀铅锡合金

铅盐络合物(以Pb2+计)

0.001mol/L

锡盐络合物(以Sn2+计)

0.075—0.080mol/L

乙二胺四乙酸

0.070—0.100mol/L

柠檬酸钠

0.080—0.120mol/L

还原剂(过渡金属离子)

0.015—0.050mol/L

辅助络合剂(稳定剂、润湿剂等)

0.200—0.300mol/L

工艺条件:pH值6—7(以碳酸钠调节),温度60~70%。

   本镀液使用了过渡金属离子作为还原剂,并通过适宜的络合剂相配合,具有镀液稳定、镀层性能优良等特点,用于电子、电器工业领域。由上海电 力学院研究开发。

 

配方l5化学镀钴硼软磁合金

氯化钴

11g/L

十水四硼酸钠(辅助络合剂)

4g/L

硼氢化钾(还原剂)

1g/L

酒石酸钾钠(络合剂)

70g/L

铈[(Ce)稀土元素]

1g/L

工艺条件:pH值13.5,温度45℃。

   稀土元素Ce的加入可以提高化学镀钴硼合金镀液的稳定性、沉积速度、镀层与基体的结合力和表面质量。具有良好耐磨性和软磁性能的化学镀钴硼合金薄膜,可用作高密度磁记录材料。

 

配方l6铝及其合金阳极氧化制绝缘保护层

草酸

40.0—70.0g/L

添加剂A(由一种有机物和一种无机物组成)

4.0—7.0g/L

表面活性剂

0—0.2g/L

工艺条件:温度15—28℃,电压40—60V,电流密度1.0—1.5A/dm2,时间90—120min,阴极精碳棒,电源直流,搅拌为空气搅拌。

   本工艺与传统工艺比较,在草酸溶液中加入添加剂,提高了氧化温度,降低了操作电压,所获得的氧化膜性能优良。如外观、耐蚀性、绝缘性能等均可达到航空工业标准,适于制作电气绝缘保护层。

 

配方17电沉积钯镍合金镀层

氯化镍(以Ni2+计)

6.5g/L

钯盐[Pd(NH3)2C12,以Pd2+计]

3.5g/L

氯化铵(导电盐)

适量

工艺条件:pH值7.5,温度室温,电流密度2.0A/dm2,阳极为碳板,阴极面积与阳极面积比为1:2,搅拌为中速机械搅拌。

   本镀液电沉积可得镍含量50%、硬度较大、孔隙率较小及耐蚀性较好,且弯曲、热浸和人工汗试验都符合IS0 3160/2—1992标准的镀层。钯镍合金镀层作为金镀层代用品,被广泛应用于电子工业领域。

 

配方l8在钢上电沉积铜   

①预镀铜

氰化钠

30—53g/L

氰化亚铜

22—45g/L

氢氧化钠

40g/L

酒石酸钾钠

30—60g/L

工艺条件:pH值12.2—12.8,温度50~60℃,阴极电流密度1—2A/dm2。

   ②光亮酸性镀铜

硫酸铜

200g/L

硫酸

50—60g/L

复合光亮剂

适量

工艺条件:阴极电流密度2—12A/dm2。

   在钢、铝等基材上电沉积铜所得到的复合材料,不仅可保持原基材的性能,而且还具备铜的高强度、优异的导电性、耐腐蚀性和与橡胶的粘接等特征性能,已广泛用作同轴射频电缆内导体、电话下户线、电子元器件引出线、子午线轮胎钢帘线等。

 

配方19电镀光亮锡铋合金工艺

硼酸

30.00g/L

硫酸锡

30.00g/L

氯化铵

50.00g/L

柠檬酸钠

l20.00g/L

乙二胺四乙酸

30.00g/L

稳定剂

20.00mL/L

Bi3+

0.25g/L

聚乙二醇

2.00g/L

辅光剂

20.00mL/L

工艺条件:pH值4.0—4.5,电流密度O.50~1.25A/dm2,阳极纯锡板,阴极压延磷铜片。

该工艺镀层光度高,操作条件宽松,对环境适应性强。其质量可满足多引线、间距小(≤0.1mm)微电子表面安装器件的要求。

 

配方20高速电镀锡铅合金

锡盐(以Sn2+计)

50~60(55)g/L

铅盐(以Pb2+计)

5~7(6)g/L

甲基磺酸

l00~220(140)g/L

光亮剂(河北东普电子有限公司)

60mL/L

工艺条件:温度18—35℃,电流密度l0~40A/dm2,镀速7.5μm/min(15A/dm2)。

本镀液获得的锡铝合金镀层具有良好的可焊性、防护性,外观漂亮,广泛用于电子元器件和线路板领域。

 

配方21 电接点银钯合金镀层

银(以氯化银形式加入)

3.80g/L

钯(以氯化钯形式加入)

0.89g/L

盐酸

9.70g/L

氯化锂

35.00—80.00g/L

加至1.00L

将各组分逐一溶于盐酸溶液中即成。

   本配方镀银钯合金效果好,镀层硬度和耐磨性比银高,镀层在使用中稳定,是良好的电接点镀层。

 

配方22接点饿镀层

锇(以四氧化锇形式加入)

1~2g/L

氨基磺酸(使四氧化锇溶解)

适量

氢氧化钾(调节pH值至l3.4~l4.0)

适量

加至1L

工艺条件:温度78—80℃,电流密度l—2A/dm2。

   将四氧化锇溶于已溶解有氨基磺酸的水溶液中,搅拌至完全溶解,如溶解不完全可适量添加氨基磺酸至溶解完全,调节pH值,加入余量的水即可使用。

本镀液镀得锇镀层,薄时很光亮,适于用作接点镀层。 

 

配方23镀铼

高铼酸钾

l0g/L

硫酸

l0g/L

氨基磺酸镁

30g/L

硫酸铵

25g/L

加至1L

工艺条件:pH值1.0~1.5,温度60—80℃,电流密度10~15A/dm2。

   将高铼酸钾溶于用硫酸酸化的水中,加入其他组分的水溶液,调节pH值,并加入余量的水即可使用。

铼镀层主要适用于造热电偶和钨丝的拉伸。 

 

配方24铝板镀铅作蓄电池极栅板

   ①镀镍

硫酸镍

150.00—200.00g/L

氯化钠

8.00~10.00g/L

硼酸

30.00—35.00g/L

有机物CHS

0.05—0.10g/L

加至1.00L

工艺条件:温度40—80℃,阴极电流密度2.5—10.0A/dm2,pH值3~5。

   ②镀铅

醋酸铅

100—300g/L

醋酸

30—40g/L

动物胶

3g/L

添加物(A)

1mL/L

添加物(B)

1mL/L

工艺条件:温度室温,阴极电流密度<10A/dm2,pH<10(用醋酸和氨水调节)。

   工艺流程为:铝板除油→机械处理→浸蚀→出光→盐酸浸蚀→镀镍→镀铅。

   以铝为基体,在其表面电镀铅,用作蓄电池极栅板,达到减轻重量、提高比能量的目的。

 

配方25镀铋(一)

高氯酸铋

0.137mol/L

高氯酸钠

0.137mol/L

乙二胺四乙酸二钠

0.137mol/L

加至1.000L

工艺条件:pH值3—5,温度室温,阴极电流密度0.5—1A/dm2。   

将各组分依次溶于水中,搅拌均匀即成。

镀铋层主要用于电子工业方面。

 

配方26镀铋(二)

氯化铋

0.136mol/L

乙二胺四乙酸二钠

0.136mol/L

硝酸钠

0.360mol/L

氯化钠

0.140mol/L

加至1.000L

工艺条件:温度室温,阴极电流密度0.5~1A/dm2。

制作和使用与配方25相同。

 

配方27玻璃丝布化学镀镍工艺   

①敏化

氯化亚锡                    l0g/L 

浓盐酸                      40ml/L

稳定剂XL—A(湖南工程学院)   10mL/L   

工艺条件:温度室温,浸渍时间2min。

   ②活化

氯化钯                 0.5g/L

浓盐酸                 5.0mL/L

缓冲剂(湖南工程学院)   20.0g/L   

水                    加至1.0L   

工艺条件:温度室温,浸渍时间2min。

   ③化学镀镍

硫酸镍

20.0g/L

次磷酸钠

20.0g/L

柠檬酸钠

l0.0g/L

氯化铵

30.0g/L

醋酸铅(稳定剂)

4.0mg/L

加至1.0L

工艺条件:pH值8.0—9.0,温度室温,时间2min。

工艺流程:玻璃丝布带(宽度l2—35mm,无脂无蜡)→浸泡→敏化→水洗→活化→水洗→化学镀镍→水洗→去离子水洗→烘干→测电阻→成品。

玻璃丝布经化学镀镍处理后,达到高压电机对高低阻带的电阻要求,能耐高压、抗电晕、防电腐蚀,且储存性能优良,从而成功取代原用玻璃丝布带浸涂半导体电阻漆的老工艺。适用于高压电机防晕处理。

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