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专利号(申请号)：200810212837.7 公开（公告）号：CN101353810 公开( 公告)日：2009-01-28 申请日：2003-04-08 申请（专利权）人：ACM研究公司 页 数：85 摘要： 本发明一方面提供一种用于对半导体晶片执行电解抛光或电镀处理的设备和方法。该设备包括一清洗模块，该清洗模块具有一边缘清洗组件(930)，用于去除位于晶片(901)的斜角或边缘部上的金属残留物。边缘清洗设备包括一喷嘴头(1030)，其往晶片主表面上供给液体和气体，以及在供给液体、径向向内位置处供给气体，从而减小液体沿径向向内方向流到晶片上形成的金属薄膜的可能性。 |
