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用于TFT铜栅工艺的无电镀NiWP粘附层

放大字体  缩小字体发布日期:2012-04-16  浏览次数:5272

   申请号:200580051047.X

   名称:用于TFT铜栅工艺的无电镀NiWP粘附层和覆盖层

 

   公开(公告)号:CN101278074

 

   公开(公告)日:2008.10.01

 

   主分类号:C23C18/50(2006.01)I

 

   申请(专利权)人:乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司;财团法人工业技术研究院

 

   地址:法国巴黎

 

   专利代理机构:北京市中咨律师事务所

 

   代理人:隗永良;林柏楠

 

   摘要

 

   本发明涉及用于TFT铜栅工艺的无电镀NiWP层。该NiWP层的沉积过程包括以下步骤:(a)使用例如紫外光、臭氧溶液和/或碱性混合物溶液清洗基底表面,(b)使用例如稀酸微刻蚀基底表面,(c)使用例如SnCl2和PdCl2溶液催化基底表面,(d)使用还原剂溶液调理基底表面,和(e)沉积NiWP。已发现在一定条件下沉积的NiWP层能够提供对玻璃基底和对Cu层的良好粘附性并具有良好的铜阻挡性能。NiWP层可用于TFT铜栅工艺(例如平板显示器面板的)的粘附、覆盖和/或阻挡层。

 

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