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直流二极型离子镀

放大字体  缩小字体发布日期:2012-08-16  浏览次数:717
核心提示: 直流二极型离子镀的原理如图9-17所示。它是利用基片和蒸发源两电极之间的辉光放电产生离子,并在基片上施加1~5kV负偏压,使离子加速撞向基片表面沉积成膜。

直流二极型离子镀的原理如图9-17所示。它是利用基片和蒸发源两电极之间的辉光放电产生离子,并在基片上施加1~5kV负偏压,使离子加速撞向基片表面沉积成膜。


图9.17离子镀原理图

1一接负高压2一接地屏蔽3一基板4一等离子体5一挡板6一蒸发源7一氩气阀8一真空系统

由于辉光放电的气压较高(约1.33Pa),对蒸镀熔点在1400℃以下的金属,如Au、Ag、Cu等多采用电阻加热蒸发源。如用电子束蒸发源,须利用压差板将电子枪室与离子镀膜层分开,并采用两套真空系统,以保证电子枪工作所需的高真空条件。总之,直流二极型离子镀设备简单,可用普通真空镀膜机改装,镀膜工艺容易实现。

离子镀时,在工件表面沉积成膜的离子或原子的能量较高(102~103eV),同时氩离子不断地轰击工件和膜层表面,清除了结合不牢的

原子和吸附于表面的残余气体分子,从而显著地提高膜层的致密度和膜基结合力。但是,也正因为轰击粒子能量高,对形成的膜层有溅射剥离作用,并引起基片的温升。另外,较低的真空度易造成膜层污染。

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