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三极型离子镀

放大字体  缩小字体发布日期:2012-08-16  浏览次数:669
核心提示:为三极型离子镀结构示意图,它是针对二极型离子镀在低气压下难以激发和维持辉光放电的问题,在蒸发源与基体之间加入了热电子发射极(通常为钨丝)和收集电子的正极,使得热发射的电子横越时,与蒸发的粒子流发生碰撞产生电离,以此来提高离化率。

图9-18为三极型离子镀结构示意图,它是针对二极型离子镀在低气压下难以激发和维持辉光放电的问题,在蒸发源与基体之间加入了热电子发射极(通常为钨丝)和收集电子的正极,使得热发射的电子横越时,与蒸发的粒子流发生碰撞产生电离,以此来提高离化率。


图9-18三极型离子镀

1一阳极2一进气口3一蒸发源4一电子吸收极5一基板6一电子发射极  7一直流电源8一真空室9一蒸发电源10一真空系统

DC二极型离子镀的离化率只有百分之零点几到~2%,而三极型的热电子发射可达10A,收集极电压为200v以下,与DC二极型相比,离化率显著提高,基体电流密度可提高10~20倍。

三极型离子镀也称为热电子增强型离子镀,实际上属于弧光放电产生等离子体。其特点是:①依靠热阴极灯丝电流和阳极电压的变化,可以独立控制放电条件,从而可有效地控制膜层的晶体结构、硬度等性能;②主阴极(基片)所加维持辉光放电的电压较低,减少了能量过高的离子对基片的轰击作用,使基片温升得到控制;③工作气压可在0.133Pa,低于二极型离子镀,镀层光泽而致密。

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