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铜一钨复合镀层电沉积工艺及其性能:结果与讨论(一)

放大字体  缩小字体发布日期:2012-04-16  浏览次数:667

1.工艺参数对镀层中钨质量分数的影响

 

1.1  镀液中钨质量浓度的影响

 

    图l是在温度为30 ℃、搅拌速率500 r/min和电流密度3 A/dm2的条件下,当镀液中含不同质量浓度的钨颗粒时,镀层中钨共沉积量的测定结果。由图1可知,钨共沉积量随钨颗粒在镀液中质量浓度的增大而增加,在35 g/L左右时达到最大值,然后又缓慢减少。

 

图1镀液中钨质量浓度与镀层中钨质量分数的关系

Figure l Relationship between the mass concentration of

tungsten particles in bath and the mass fraction of tungsten in

deposit

 

1.2  阴极电流密度的影响

 

    图2是在温度为30 ℃、搅拌速率500 r/min、镀液中钨质量浓度为30g/L的条件下,当阴极电流密度变化时,镀层中钨共沉积量的试验结果。由图2可知,钨共沉积量随阴极电流密度的增大而增加,当电流密度达到3.5 A/dm2时,钨共沉积量达到最大值。

 

图2阴极电流密度与镀层中钨质量分数的关系

Figure 2 Relationship between cathodic current density and

mass fraction of tungsten in deposit

 

1.3  搅拌速率的影响

 

    图3是在温度为30℃、电流密度3 A/dm2、镀液中钨质量浓度为注:本站部分资料需要安装PDF阅读器才能查看,如果你不能浏览文章全文,请检查你是否已安装PDF阅读器!

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