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铜一钨复合镀层电沉积工艺及其性能:前言

放大字体  缩小字体发布日期:2012-04-16  浏览次数:712

摘要:采用复合电沉积的方法,通过在镀铜液中加入直径为1~3μm的钨颗粒,在纯铜表面制备了铜_钨复合镀层。研究了镀液中钨质量浓度、阴极电流密度、搅拌速率、镀液温度等工艺参数对镀层中钨质量分数的影响,测定了复合镀层的显微硬度和接触电阻。得到了复合电沉积的最优工艺为:钨质量浓度35g/L,电流密度4 A/dm2,搅拌强度600 r/min,温度50 ℃。所得铜—钨复合镀层具有合适的显微硬度(98.5~112.0 HV)、稳定且较低的接触电阻及较长的电接触寿命,可以取代AgCdO触头。

关键词:铜一钨复合电沉积;电接触材料;显微硬度;接触电阻

中图分类号:TB331;TQl53.14    文献标志码:A

文章编号:1004—227X(2009)05—0017—03

Study on eIectrodepositiOn process and properties of copper-tungsten composite coating//LI Guang—yu,ZHANG Xiao—yan*,YAN Chao-jie,ZHU Li-bing,CHEN Xiang-xiang

AbstractA copper-tungsten composite coating was electrodeposited on red copper substrate by adding tungsten particles(1-3μmin diameter)to a copper plating bath.The effects of tungsten mass concentration in bath。cathodic current density,stirring rate and bath temperature on the microhardness of deposit were studied.The optimal process conditions were obtained as follows:tungsten massconcentration 35 g/L,current density 4 A/dm2,stirring rate 600 r/min,and bath temperature 50℃.The copper-tungstencomposite deposit has characteristics of appropriatemicrohardness(98.5-112.0 HV).stable and lOW contactresistance,as well as long electrical contact life,being able tosubstitute the AgCdO contact.

Keywordscopper-tungsten composite electrodeposition;electrical contact material;microhardness;contact resistance

First-author’s addressCollege of Material Science and Metallurgical Engineerin9,Guizhou University,Guiyang550003.China

 

前言

 

    所谓复合电沉积,是在电镀或化学镀溶液中加入不溶性的固体微粒,并使其与主体金属共沉积在基材上的镀覆工艺,得到的镀层为复合镀层[1]。目前,电沉积复合镀层在自润滑、电接触材料,电催化、光活性材料及储能等领域得到了开发和应用[2-3]

 

    电接触材料又称为接触元件,是电器开关、仪器仪表中的重要元器件,它担负着电路之间接通与断开,以及负载相应电路中电流的任务。在现代化大型电气系统(如大型电力系统、自动化系统、通讯系统)中,包括了数以万计的电接触元件。航空、

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